DS1265AB-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1265AB-100概述

IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 100ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin EDIP

DS1265AB-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 8000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1265AB-100引脚图与封装图

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型号： DS1265AB-100

描述：IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

替代型号DS1265AB-100