DS1270Y-70参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1270Y-70概述

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

DS1270Y-70中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1270Y-70引脚图与封装图

在线购买DS1270Y-70

型号： DS1270Y-70

描述：IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

替代型号DS1270Y-70

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DS1270Y-70

Maxim Integrated 美信

当前型号

M48Z2M1Y-70PL1

意法半导体

完全替代

DS1270Y-70#

美信

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