DS1270W-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1270W-100概述

IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 100ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

贸泽:
NVRAM 3.3V 16M NV SRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP

DS1270W-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1270W-100引脚图与封装图

在线购买DS1270W-100

型号： DS1270W-100

描述：IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP

替代型号DS1270W-100