DS1270AB-70IND

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DS1270AB-70IND概述

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb(2M x 8) 并联 70 ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP


DS1270AB-70IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1270AB-70IND引脚图与封装图
DS1270AB-70IND引脚图
DS1270AB-70IND封装图
DS1270AB-70IND封装焊盘图
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型号: DS1270AB-70IND
描述:IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP
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DS1270AB-70IND

Maxim Integrated 美信

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