DS1245W-100IND参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

DS1245W-100IND图片1

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DS1245W-100IND概述

NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 100ns

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

DS1245W-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 1000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1245W-100IND引脚图与封装图

DS1245W-100IND引脚图

DS1245W-100IND封装图

DS1245W-100IND封装焊盘图

在线购买DS1245W-100IND

型号： DS1245W-100IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

替代型号DS1245W-100IND

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1245W-100IND Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1245W-100+ 美信	完全替代	DS1245W-100IND和DS1245W-100+的区别
DS1245W-100IND+ 美信	完全替代	DS1245W-100IND和DS1245W-100IND+的区别
DS1245W-100 美信	完全替代	DS1245W-100IND和DS1245W-100的区别