IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP
NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 100ns 36-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
贸泽:
NVRAM 3.3V 8M NV SRAM
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 8000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 EDIP-36
长度 53.34 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.29 mm
封装 EDIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1265W-100 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1265W-100+ 美信 | 完全替代 | DS1265W-100和DS1265W-100+的区别 |
DS1265Y-70+ 美信 | 类似代替 | DS1265W-100和DS1265Y-70+的区别 |
DS1265W-100IND 美信 | 类似代替 | DS1265W-100和DS1265W-100IND的区别 |