DS1249W-100IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1249W-100IND概述

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 32DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 100ns 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

贸泽:
NVRAM 3.3V 2048K NV SRAM

DS1249W-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1249W-100IND引脚图与封装图

在线购买DS1249W-100IND

型号： DS1249W-100IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 2Mbit 100NS 32DIP

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