DS1250AB-100IND

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DS1250AB-100IND概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP


DS1250AB-100IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1250AB-100IND引脚图与封装图
DS1250AB-100IND引脚图
DS1250AB-100IND封装图
DS1250AB-100IND封装焊盘图
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型号: DS1250AB-100IND
描述:IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP
替代型号DS1250AB-100IND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1250AB-100IND

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1250AB-100IND+

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完全替代

DS1250AB-100IND和DS1250AB-100IND+的区别

DS1250AB-70IND+

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DS1250AB-100IND和DS1250AB-70IND+的区别

DS1250AB-100

美信

完全替代

DS1250AB-100IND和DS1250AB-100的区别

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