DS2030Y-100#参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS2030Y-100#概述

NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 256Pin BGA

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 256Kb（32K x 8）并联 100 ns 256-BGA（27x27）

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

贸泽:
NVRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 256-Pin BGA

DS2030Y-100#中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

存取时间 100 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-256

外形尺寸

封装 BGA-256

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买DS2030Y-100#

型号： DS2030Y-100#

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 256Pin BGA

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