DS3070W-100#

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DS3070W-100#概述

IC NVSRAM 16Mbit 100NS 256BGA

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb(2M x 8) 并联 100 ns 256-BGA(27x27)


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA


DS3070W-100#中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 16000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-256

外形尺寸

封装 BGA-256

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DS3070W-100#
型号: DS3070W-100#
描述:IC NVSRAM 16Mbit 100NS 256BGA
替代型号DS3070W-100#
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DS3070W-100#

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