DS2016R-100+参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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DS2016R-100+概述

IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOIC

SRAM 存储器 IC 16Kb（2K x 8）并联 100 ns 24-SOIC

得捷:
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

DS2016R-100+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 16000 B

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 24

封装 SOIC-24

外形尺寸

封装 SOIC-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买DS2016R-100+

型号： DS2016R-100+

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOIC

替代型号DS2016R-100+

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS2016R-100+ Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
6116LA25SOG8 艾迪悌	功能相似	DS2016R-100+和6116LA25SOG8的区别
LH5116NA-10 夏普	功能相似	DS2016R-100+和LH5116NA-10的区别
6116LA25SOG 艾迪悌	功能相似	DS2016R-100+和6116LA25SOG的区别