DS1258W-100IND#

DS1258W-100IND#图片1
DS1258W-100IND#概述

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 2Mb(128K x 16) 并联 100 ns 40-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 40-Pin EDIP


DS1258W-100IND#中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-40

外形尺寸

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买DS1258W-100IND#
型号: DS1258W-100IND#
描述:IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP
替代型号DS1258W-100IND#
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1258W-100IND#

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1258AB-100

美信

功能相似

DS1258W-100IND#和DS1258AB-100的区别

DS1258AB-70

美信

功能相似

DS1258W-100IND#和DS1258AB-70的区别

DS1258Y-100

美信

功能相似

DS1258W-100IND#和DS1258Y-100的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台