DS1258AB-100#参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1258AB-100#概述

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 100ns 40-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

贸泽:
NVRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 5V 40-Pin EDIP

DS1258AB-100#中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

封装 DIP-40

外形尺寸

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买DS1258AB-100#

型号： DS1258AB-100#

描述：IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

替代型号DS1258AB-100#