DS1220Y-100IND+

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DS1220Y-100IND+概述

IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Kb(2K x 8) 并联 24-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


DS1220Y-100IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DS1220Y-100IND+
型号: DS1220Y-100IND+
描述:IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP
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