DPG60C200QB

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DPG60C200QB概述

IXYS SEMICONDUCTOR  DPG60C200QB  快速/超快二极管, 外延二极管FRED, 双共阴极, 200 V, 30 A, 1.06 V, 35 ns, 300 A

阵列 1 对共阴极 标准 30A 通孔 TO-3P-3,SC-65-3


得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P


贸泽:
Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Amps 200V


e络盟:
快速/超快二极管, 外延二极管FRED, 200 V, 30 A, 双共阴极, 1.06 V, 35 ns, 300 A


艾睿:
Diode Switching 200V 60A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 60A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  DPG60C200QB  Fast / Ultrafast Diode, Epitaxial Diode FRED, 200 V, 30 A, Dual Common Cathode, 1.06 V, 35 ns


Win Source:
DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P


DPG60C200QB中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.34V @30A

耗散功率 160 W

反向恢复时间 35 ns

正向电流 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 300 A

正向电压Max 1.06 V

正向电流Max 60 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买DPG60C200QB
型号: DPG60C200QB
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  DPG60C200QB  快速/超快二极管, 外延二极管FRED, 双共阴极, 200 V, 30 A, 1.06 V, 35 ns, 300 A
替代型号DPG60C200QB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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