DTC114EUAFRAT106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC114EUAFRAT106概述

ROHM DTC114EUAFRAT106 晶体管双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

* AEC-Q101合规

立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V

贸泽:
ROHM Semiconductor

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R

DTC114EUAFRAT106中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买DTC114EUAFRAT106

型号： DTC114EUAFRAT106

描述：ROHM DTC114EUAFRAT106 晶体管双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

替代型号DTC114EUAFRAT106

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTC114EUAFRAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTC114EKAT146 罗姆半导体	完全替代	DTC114EUAFRAT106和DTC114EKAT146的区别
DTC114EUAT106 罗姆半导体	完全替代	DTC114EUAFRAT106和DTC114EUAT106的区别
DTC114YUAT106 罗姆半导体	完全替代	DTC114EUAFRAT106和DTC114YUAT106的区别