DTA114EUBHZGTL

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DTA114EUBHZGTL概述

ROHM  DTA114EUBHZGTL  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

* AEC-Q101合规


得捷:
PNP DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率


Newark:
TRANS, PNP, 10K/10K, SOT-323


DTA114EUBHZGTL中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Not Recommended

制造应用 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DTA114EUBHZGTL引脚图与封装图
DTA114EUBHZGTL引脚图
DTA114EUBHZGTL封装图
DTA114EUBHZGTL封装焊盘图
在线购买DTA114EUBHZGTL
型号: DTA114EUBHZGTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  DTA114EUBHZGTL  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
替代型号DTA114EUBHZGTL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA114EUBHZGTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTA114EU3HZGT106

罗姆半导体

完全替代

DTA114EUBHZGTL和DTA114EU3HZGT106的区别

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