DMN3115UDM

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DMN3115UDM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 500 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.2A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-26

外形尺寸

封装 SOT-26

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: DMN3115UDM
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  DMN3115UDM  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 500 mV

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