DMG4511SK4

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DMG4511SK4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.54 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DMG4511SK4
型号: DMG4511SK4
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  DMG4511SK4  双路场效应管, MOSFET, 增强模式, N和P沟道, 8.6 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 1 V

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