DTC114EE

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DTC114EE概述

数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built-in resistors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types Available DDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 外延平面电路小片构建 互补PNP类型可用(DDTA) 内置偏置电阻R1= R2 无铅/ 符合RoHS标准

DTC114EE中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 EMT

外形尺寸

封装 EMT

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买DTC114EE
型号: DTC114EE
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built-in resistors
替代型号DTC114EE
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