数字晶体管(内置电阻) Digital transistors built-in resistors
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Types Available DDTA Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Lead Free/RoHS Compliant 描述与应用| 特性 外延平面电路小片构建 互补PNP类型可用(DDTA) 内置偏置电阻R1= R2 无铅/ 符合RoHS标准
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DTC114EE ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EKA 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114EE和DTC114EKA的区别 |
DTC114TCAT116 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114EE和DTC114TCAT116的区别 |
DTC114EUA 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114EE和DTC114EUA的区别 |