DN2540N8-G

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DN2540N8-G概述

400V,150mA,N沟道功率MOSFET

表面贴装型 N 通道 400 V 170mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)


立创商城:
N沟道 400V 170mA


得捷:
MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA


欧时:
MOSFET, DEPLETION-MODE, 400V, 25 Ohm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, 消耗型, N沟道, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, 表面安装


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this DN2540N8-G power MOSFET from Microchip Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode.


Allied Electronics:
MOSFET; DEPLETION-MODE; 400V; 25 Ohm3 SOT-89T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 3-Pin SOT-89 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.15A; 1.6W; SOT89-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


力源芯城:
400V,150mA,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3


DN2540N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

针脚数 3

漏源极电阻 17 Ω

耗散功率 1.6 W

输入电容 200 pF

漏源极电压Vds 400 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 300pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DN2540N8-G引脚图与封装图
DN2540N8-G引脚图
DN2540N8-G封装图
DN2540N8-G封装焊盘图
在线购买DN2540N8-G
型号: DN2540N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:400V,150mA,N沟道功率MOSFET
替代型号DN2540N8-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Microchip 微芯

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