DVR1V8W-7参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

DVR1V8W-7图片1

DVR1V8W-7图片2

DVR1V8W-7中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 18.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 18 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @100mA, 1V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DVR1V8W-7

型号： DVR1V8W-7

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans GP BJT NPN 18V 1A 6Pin SOT-363 T/R

替代型号DVR1V8W-7

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DVR1V8W-7

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

DVR5V0W-7

美台

类似代替

DVR1V8W-7和DVR5V0W-7的区别