DAN222T1

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DAN222T1概述

共阴极双硅开关二极管 Common Cathode Silicon Dual Switching Diode

反向电压VrReverse Voltage| 80V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current| 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 1.2V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4NS 最大耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| • COmmON cAthode silicon duAl Switching diode This Common CAthode Silicon EpitAxiAl PlAnAr DuAl Diode is designed for use in ultrA high speed switching ApplicAtions. This deVice is housed in the SOT–416/SC–90 pAckAge which is designed for low power surfAce mount ApplicAtions, where boArd spAce is At A premium. • FAst trr • Low CD • AVAilAble in 8 mm TApe And Reel 描述与应用| •共阴极双硅开关 这种共阴极硅外延平面双二极管 专为超高速开关应用中使用。这 装置被安置在SOT-416/SC-90包装其目的是 对于低功率表面贴装应用,其中板空间是一个 溢价。 •快速反向恢复时间 •低CD •可在8毫米编带和卷轴

DAN222T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DAN222T1
型号: DAN222T1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:共阴极双硅开关二极管 Common Cathode Silicon Dual Switching Diode
替代型号DAN222T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DAN222T1

ON Semiconductor 安森美

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DAN222T1和DAN222T1G的区别

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