DMN10H170SVTQ-13

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DMN10H170SVTQ-13概述

Mosfet Bvdss: 61V~100V Tsot26 t&r 10K

表面贴装型 N 通道 100 V 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26


得捷:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS


DMN10H170SVTQ-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.2W Ta

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 1167pF @25VVds

耗散功率Max 1.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: DMN10H170SVTQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:Mosfet Bvdss: 61V~100V Tsot26 t&r 10K

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