DTB143ECT116

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DTB143ECT116概述

SOT-23 PNP 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3


得捷:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST


DTB143ECT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTB143ECT116引脚图与封装图
DTB143ECT116引脚图
DTB143ECT116封装图
DTB143ECT116封装焊盘图
在线购买DTB143ECT116
型号: DTB143ECT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SOT-23 PNP 50V 500mA
替代型号DTB143ECT116
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTB143ECT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTB143EC

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