DTC114EM

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DTC114EM概述

DTC114EM 带阻NPN三极管 50mA 10k 10k sot-723/VMT3 marking/标记 24

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 50mA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. 2 The bias resistors consist of thin film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置设计容易

DTC114EM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

最小包装 8000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: DTC114EM
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTC114EM 带阻NPN三极管 50mA 10k 10k sot-723/VMT3 marking/标记 24

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