DTA123YE

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DTA123YE概述

DTA123YE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/EMT3 标记52 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm

电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.22

直流电流增益hFE DC Current GainhFE|

截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz

耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW

Description & Applications| Feature •Digital transistors built-in resistor •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy

描述与应用| 特点 •数字晶体管(内置电阻) •内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许输入的正偏压。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易

DTA123YE中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.1A

封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTA123YE
型号: DTA123YE
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTA123YE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/EMT3 标记52 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
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