DTA113ZEFRATL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA113ZEFRATL概述

ROHM DTA113ZEFRATL 晶体管双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-416 新

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3

得捷:
PNP DIGITAL TRANSISTOR AEC-Q101

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, PNP, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R

Newark:
# ROHM DTA113ZEFRATL TRANS, PNP, AECQ101, 1K/10K, SOT-416

DTA113ZEFRATL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTA113ZEFRATL引脚图与封装图

在线购买DTA113ZEFRATL

型号： DTA113ZEFRATL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM DTA113ZEFRATL 晶体管双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-416 新