DTA124ECAT116参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA124ECAT116概述

双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 20V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

DTA124ECAT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTA124ECAT116引脚图与封装图

在线购买DTA124ECAT116

型号： DTA124ECAT116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor

替代型号DTA124ECAT116

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA124ECAT116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTC143XCAT116 罗姆半导体	类似代替	DTA124ECAT116和DTC143XCAT116的区别
BCR112 英飞凌	功能相似	DTA124ECAT116和BCR112的区别
DDTA124ECA-7 美台	功能相似	DTA124ECAT116和DDTA124ECA-7的区别