DTC323TU

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DTC323TU概述

DTC323TU 带阻NPN三极管 30V 600mA/0.6A 2.2k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 H02

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 600mA/0.6A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 250 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Features 1 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3 Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 4 Low saturation voltage, typically Vcesat=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA,makes these transistors ideal for muting circuits. 5 These transistors can be used at high current levels, IC=600mA 描述与应用| 特性 1)内置启用偏置电阻器的逆变器电路无需连接外部输入电阻配置 2)偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 3)只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易 4)低饱和电压,通常Vce(sat)=40mV@IC / IB=50mA/2.5mA,使得这些晶体管适合用于静音电路。 5)这些晶体管可用于高电流水平,IC=600毫安

DTC323TU中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 600mA

封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: DTC323TU
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTC323TU 带阻NPN三极管 30V 600mA/0.6A 2.2k SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 H02

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