DTB123YK

DTB123YK概述

DTB123YK 带阻尼PNP三极管 -50V -500mA/0.5A 0.2W/200mW SOT-23/SC-59/SMT3 标记F52 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -500mA/0.5A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 0.22 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.2W/200mW Description & Applications | Feature •Digital transistors built-in resistor •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making device design easy 描述与应用 | 特点 •数字(内置电阻) •内置启用偏置电阻器的逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻(见等效电路)。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许输入的正偏压。他们也有优势,几乎完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作,使装置的设计容易

DTB123YK中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.5A

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB123YK
型号: DTB123YK
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTB123YK 带阻尼PNP三极管 -50V -500mA/0.5A 0.2W/200mW SOT-23/SC-59/SMT3 标记F52 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
替代型号DTB123YK
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