DTB113ECT116

DTB113ECT116图片1
DTB113ECT116图片2
DTB113ECT116图片3
DTB113ECT116图片4
DTB113ECT116概述

1个PNP-预偏置 500mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3


立创商城:
1个PNP-预偏置 500mA 50V


得捷:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R


DTB113ECT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB113ECT116
型号: DTB113ECT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:1个PNP-预偏置 500mA 50V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台