晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
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DTC143XCAT116
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NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
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艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
额定功率 0.2 W
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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