DTC123ECAT116

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DTC123ECAT116概述

双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR


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双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SST3


DTC123ECAT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

输出电压 100 mV

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTC123ECAT116引脚图与封装图
DTC123ECAT116引脚图
DTC123ECAT116封装图
DTC123ECAT116封装焊盘图
在线购买DTC123ECAT116
型号: DTC123ECAT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
替代型号DTC123ECAT116
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC123ECAT116

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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IA18CSN08UC

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