DMN601WKQ-13

DMN601WKQ-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DMN601WKQ-13
型号: DMN601WKQ-13
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOSFET NCH 60V SOT323

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