DTC114YCAT116参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC114YCAT116概述

NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

DTC114YCAT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTC114YCAT116引脚图与封装图

在线购买DTC114YCAT116

型号： DTC114YCAT116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors