DG636EQ-T1-E3

DG636EQ-T1-E3图片1
DG636EQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 4

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.45 W

输入数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 610 MHz

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 TSSOP-14

外形尺寸

封装 TSSOP-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DG636EQ-T1-E3
型号: DG636EQ-T1-E3
制造商: VISHAY 威世
描述:0.5 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏,双路SPDT模拟开关 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

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