DG636EN-T1-E4

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DG636EN-T1-E4中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 4

通道数 2

耗散功率 0.525 W

输入数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 525 mW

电源电压Max 12 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

引脚数 16

封装 MiniQFN

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 MiniQFN

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: DG636EN-T1-E4
制造商: VISHAY 威世
描述:0.5 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏,双路SPDT模拟开关 0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

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