DTA114ECAHZGT116参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114ECAHZGT116概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

晶体管 - 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压表面贴装型 SST3

得捷:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

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1个PNP-预偏置 100mA

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Digital Translator with Built-in Bias Resistor Single PNP -50V -100mA 3-Pin SOT-23 T/R

DTA114ECAHZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTA114ECAHZGT116引脚图与封装图

在线购买DTA114ECAHZGT116

型号： DTA114ECAHZGT116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 50 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率