DTC043XMT2L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC043XMT2L概述

VMT NPN 50V 100mA

晶体管 - 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 + 二极管 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VMT3

得捷:
NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI

贸泽:
ROHM Semiconductor

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

DTC043XMT2L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： DTC043XMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMT NPN 50V 100mA