DTD123TCHZGT116参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTD123TCHZGT116概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
500MA/40V DIGITAL TRANSISTOR WI

贸泽:
ROHM Semiconductor

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

DTD123TCHZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买DTD123TCHZGT116

型号： DTD123TCHZGT116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm