DTC143XEBHZGTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC143XEBHZGTL概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMTF T/R

DTC143XEBHZGTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

输出电压 100 mV

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTC143XEBHZGTL引脚图与封装图

在线购买DTC143XEBHZGTL

型号： DTC143XEBHZGTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm, 0.47 电阻比率