DTC124EUBHZGTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC124EUBHZGTL概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F

得捷:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 22kO Input Resist

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率

DTC124EUBHZGTL中文资料参数规格

技术参数

输出电压 100 mV

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买DTC124EUBHZGTL

型号： DTC124EUBHZGTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率