DTC143ZUBHZGTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC143ZUBHZGTL概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F

得捷:
NPN DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI

贸泽:
ROHM Semiconductor

DTC143ZUBHZGTL中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTC143ZUBHZGTL引脚图与封装图

在线购买DTC143ZUBHZGTL

型号： DTC143ZUBHZGTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率