DRV5032FADBZR

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DRV5032FADBZR概述

板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85

数字开关 全极开关 推挽式 霍尔效应 SOT-23-3


得捷:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3


立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器


德州仪器TI:
Low power 5 Hz, <1µA, low voltage up to 5.5V switch


贸泽:
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85


艾睿:
Hall Effect Sensor 5mA Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Hall Effect Sensor 5mA Omnipolar 5.5V 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Hall Effect Sensor 5mA Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R


DRV5032FADBZR中文资料参数规格
技术参数

输出电压 5.5 V

输出电流 5 mA

输出电流Max 5 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DRV5032FADBZR引脚图与封装图
DRV5032FADBZR引脚图
DRV5032FADBZR封装图
DRV5032FADBZR封装焊盘图
在线购买DRV5032FADBZR
型号: DRV5032FADBZR
制造商: TI 德州仪器
描述:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ultra-Low Power 1.65V to 5.5V Hall Effect Switch 3-SOT-23 -40 to 85
替代型号DRV5032FADBZR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DRV5032FADBZR

TI 德州仪器

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DRV5032FADBZT

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完全替代

DRV5032FADBZR和DRV5032FADBZT的区别

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