DXT2010 系列 NPN 60 V 6 A 表面贴装 双极性 晶体管 - PowerDI-5
If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the NPN BJT, developed by Zetex, is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.
频率 130 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 3.2 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V
额定功率Max 3.2 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 POWERDI-5
封装 POWERDI-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 国防, 军用与航空, 电源管理, 电机驱动与控制
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DXT2010P5-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1803 三洋 | 功能相似 | DXT2010P5-13和2SD1803的区别 |
2SD1803S 三洋 | 功能相似 | DXT2010P5-13和2SD1803S的区别 |
2SD1805 三洋 | 功能相似 | DXT2010P5-13和2SD1805的区别 |