DMS3016SSS-13概述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
N-Channel 30V 9.8A Ta 1.54W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
贸泽:
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A Automotive 8-Pin SO T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A Automotive 8-Pin SO T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8
DMS3016SSS-13中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.54 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.8A
上升时间 8.73 ns
输入电容Ciss 1849pF @15VVds
额定功率Max 1.54 W
下降时间 4.69 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.54W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17