DMN2020UFCL-7

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DMN2020UFCL-7概述

N沟道 20V 9A

表面贴装型 N 通道 9A(Ta) 610mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)


得捷:
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6


立创商城:
N沟道 20V 9A


贸泽:
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Diodes Zetex&s;s DMN2020UFCL-7 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN


DMN2020UFCL-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 5.7 ns

输入电容Ciss 1788pF @10VVds

额定功率Max 610 mW

下降时间 6.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 610mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN1616-6

外形尺寸

封装 DFN1616-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN2020UFCL-7
型号: DMN2020UFCL-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 20V 9A

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