DMN3730UFB-7

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DMN3730UFB-7概述

30V,750mA,N沟道增强型MOSFET

MOSFET N-CH 30V 750MA DFN


得捷:
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN


立创商城:
DMN3730UFB-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.91A Automotive 3-Pin DFN T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.91A 3-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.91A 3-Pin DFN T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMN3730UFB-7  MOSFET Transistor, N Channel, 910 mA, 30 V, 460 mohm, 4.5 V, 450 mV


力源芯城:
30V,750mA,N沟道增强型MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN


DMN3730UFB-7中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.46 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 470 mW

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.91A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 64.3pF @25VVds

额定功率Max 470 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 470mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买DMN3730UFB-7
型号: DMN3730UFB-7
制造商: Diodes 美台
描述:30V,750mA,N沟道增强型MOSFET

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