DMN10H220LE-13

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DMN10H220LE-13概述

N沟道 100V 2.3A

表面贴装型 N 通道 100 V 2.3A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223


立创商城:
N沟道 100V 2.3A


贸泽:
MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The DMN10H220LE-13 power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 1800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-223 T/R


富昌:
100V, 2.3A, 0.22 OHM, N-CH, SOT-223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223


DMN10H220LE-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 220 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 401pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-3

外形尺寸

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMN10H220LE-13引脚图与封装图
DMN10H220LE-13引脚图
DMN10H220LE-13封装图
DMN10H220LE-13封装焊盘图
在线购买DMN10H220LE-13
型号: DMN10H220LE-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 100V 2.3A

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